ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器
2025年起將向全球電動車廠供貨 助力延長續航里程和系統小型化

2022年12月20日

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社(以下簡稱日立安斯泰莫)使用於電動車(以下簡稱EV)逆變器。

SiC MOSFET,閘極驅動器IC

在全球實現減碳社會的過程中,汽車的電動化進程持續加速,在此背景下,開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續航里程並縮減電池尺寸,如何提高驅動核心—逆變器的效率已成為重要課題,市場對碳化矽功率元件更是寄予厚望。

ROHM自2010年起領先全球率先開始量產SiC MOSFET,在SiC功率元件技術開發方面,始終保持業界領先地位。其中新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間,並實現了業界超低導通電阻。在車電逆變器中採用該產品時,與使用IGBT時相比,電耗可以減少6%(按照國際標準「WLTC燃料消耗量測試」計算),非常有助延長電動車的續航里程。

日立安斯泰莫多年來一直致力於車用馬達和逆變器等相關技術研發,並且已經為日益普及的EV提供了大量產品,在該市場中擁有傲人成績。本次為了進一步提高逆變器性能,日立安斯泰莫首次在主驅逆變器的電路中採用了SiC功率元件,並計畫2025年起,向包括日本在內的全球車廠供應逆變器產品。

今後ROHM也將以SiC功率元件領導企業之姿,不斷擴大產品陣容,結合能大幅發揮元件性能的控制IC等週邊元件技術優勢,持續提供有助汽車技術創新的電源解決方案。

<關於日立安斯泰莫>

日立安斯泰莫透過由動力總成系統和安全系統事業、底盤事業、摩托車事業、軟體事業以及售後市場事業所組成的戰略事業組合,持續強化技術創新能力。公司以「綠能」、「數位化」、「創新」為核心發展目標,致力打造可減少廢氣排放的高效內燃機系統和電動系統,助力改善地球環境,並透過自動駕駛、先進駕駛輔助系統以及先進底盤系統,助力提升移動社會的安全性和舒適性,為實現永續發展社會和提高客戶企業價值貢獻心力。

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