ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET「R60xxVNx系列」實現業界最快反向恢復時間和超低導通電阻

特點
產品系列

2022年4月13日
※2022年4月13日　ROHM調查

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）在600V耐壓SuperJunction MOSFET“PrestoMOS™”產品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款機型，非常適用於電動車充電樁、伺服器、基地台等大功率工控裝置的電源電路、以及空調等因節能趨勢而採用變頻技術的大型生活家電的馬達驅動。

TO-220FM / TO-247AD / TO-220AB

近年來，隨著全球功率消耗量的增加，如何提升使用效率已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動車充電樁、伺服器和基地台等工控裝置，以及空調等生活家電的效率不斷提升，因此也開始要求所使用的功率半導體可進一步降低功耗。針對此種市場需求，ROHM對現有PrestoMOS™產品進行了改良，具有比同等級市場競品更低的導通電阻、有助進一步降低應用產品功耗。

本次研發的新系列產品採用了ROHM全新製程，實現業界最快的反向恢復時間（trr^※1），同時，與反向恢復時間難以兼顧的導通電阻^※2最多也可以比同等級市場競品低20%。在反向恢復時間方面，延續PrestoMOS™系列產品的105ns（奈秒），為業界最快（與TO-220FM同等級封裝產品相比）反向恢復時間，開關時的功耗比同等級市場競品降低約17%。基於這二大特點，與同等級市場競品相比，新系列將可大大提高應用產品的效率。
除了上述系列產品之外，作為標準型600V耐壓SuperJunction MOSFET，ROHM還研發了具有更低導通電阻的「R60xxYNx系列」，本次也新增二款機型，客戶可以根據應用需求選擇合適的產品群。
新產品已於2022年1月開始暫以每月10萬個（樣品價格900日元/個，未稅）的規模投入量產。另外，也已開始透過電商平台銷售。今後，ROHM將繼續研發抗噪性能更出色的新系列產品，持續擴大SuperJunction MOSFET系列產品陣容，透過降低各種應用產品功耗，助力解決環保等社會問題。

＜新產品特點＞

1．實現業界最快反向恢復時間，以及業界超低導通電阻

PrestoMOS™「R60xxVNx系列」透過ROHM新製程，降低了單位面積的導通電阻。由於與反向恢復時間存在著難以兼顧的關係，導通電阻與同等級市場競品相比，最多可減少20%（與TO-220FM同等級封裝產品相比），有助進一步降低各種應用產品功耗。

2．具業界最快反向恢復時間，開關損耗更低

通常，當製程向更微細的方向發展時，導通電阻等基本性能會得到改善，但與其難以兼顧的反向恢復時間則會變差。而ROHM的PrestoMOS™「R60xxVNx系列」採用自家技術，實現了比同等級市場競品更低的導通電阻的同時，還實現了業界最快105ns（奈秒）反向恢復時間（與TO-220FM同等級封裝產品比較）。由於抑制了多餘浪費的電流量，因此與同等級市場競品相比，開關過程中的功率損耗可以降低約17%。相比之下，包括「R60xxYNx系列」在內的標準型，且相同導通電阻產品的反向恢復時間約為300～400ns（奈秒）。

由於上述二大特點，在搭載了追求高效率的同步整流升壓電路^※3的評估板上，與導通電阻60mΩ級的產品進行比較時，「R60xxVNx系列」表現出比同等級市場競品更出色的效率，非常有助降低太陽光電逆變器和不斷電系統（UPS）等應用功耗。

＜產品系列＞

R60xxVNx系列（PrestoMOS™型）

耐壓 V_DS [V]	導通電組 R_ON typ. [mΩ] V_GS=15V	反向恢復時間 trr typ. [ns]	封裝
			TO-252 ＜DPAK＞	（TO-220FM）＜TO-220FP＞	TO-220AB	TO-247AD （TO-247）

600	250	65	☆ R6013VND3	☆ R6013VNX
	180	68		R6018VNX
	130	80		R6024VNX	R6024VNX3
	95	92		R6035VNX	R6035VNX3
	59	112		☆ R6055VNX	☆ R6055VNX3	R6055VNZ4
	42	125				R6077VNZ4
	22	167				☆ R60A4VNZ4
☆: 開發中		封裝採用JEDEC表記。（）內為ROHM封裝、〈〉內為GENERAL代碼。

R60xxYNx系列（標準型）

耐壓 V_DS [V]	導通電組 R_ON typ. [mΩ] V_GS=12V	反向恢復時間 trr typ. [ns]	封裝
			TO-252 ＜DPAK＞	（TO-220FM）＜TO-220FP＞	TO-220AB	TO-3PF	TO-247AD （TO-247）	MO-299 （TOLL）

600	324	200～600	☆ R6010YND3	☆ R6010YNX	☆ R6010YNX3
	215		☆ R6014YND3	R6014YNX	☆ R6014YNX3
	154			R6020YNX	☆ R6020YNX3		☆ R6020YNZ4	☆ R6020YNJ2
	137			☆ R6022YNX	☆ R6022YNX3		☆ R6022YNZ4	☆ R6022YNJ2
	112			☆ R6027YNX	☆ R6027YNX3		☆ R6027YNZ4	☆ R6027YNJ2
	80			☆ R6038YNX	☆ R6038YNX3		☆ R6038YNZ4	☆ R6038YNJ2
	68			☆ R6049YNX	☆ R6049YNX3		☆ R6049YNZ4	☆ R6049YNJ2
	50			☆ R6061YNX	☆ R6061YNX3		☆ R6061YNZ4
	49							☆ R6063YNJ2
	36					☆ R6086YNZ	☆ R6086YNZ4
	21						☆ R60A4YNZ4
☆: 開發中		封裝採用JEDEC表記。（）內為ROHM封裝、〈〉內為GENERAL代碼。

＜應用範例＞

■電動車充電樁、伺服器、基地台、太陽光電逆變器（功率調節器）、不斷電系統（UPS）等
■空調等生活家電
■其他各類型裝置的馬達驅動和電源電路等

＜什麼是PrestoMOS™＞

Presto表示「極快」，是源自於義大利文的音樂術語。
PrestoMOS™採用了ROHM自家Lifetime控制技術、是一款以業界最快反向恢復時間（trr）為特點的功率MOSFET。

・PrestoMOS是ROHM的註冊商標。

＜名詞解釋＞

※1）trr：反向恢復時間（Reverse Recovery Time）
内建二極體從導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。該值越低，切換時的損耗越小。

※2）導通電阻
MOSFET導通時汲極和源極之間的電阻值。該值越小，導通時的損耗（功率損耗）越少。

※3）同步整流升壓電路
通常，在由MOSFET和二極體所組成的升壓電路中，會將二極體改為MOSFET來提升效率。由於MOSFET導通電阻帶來的損耗小於二極體V_F帶來的功率損耗，因此此種電路的效率會更高。

ダイオードよりもロスが少ないMOSFETに変更することでより効率的な昇圧が可能となる

關於此產品的諮詢

ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET「R60xxVNx系列」
實現業界最快反向恢復時間和超低導通電阻
有助降低工控裝置和大型家電功耗