ROHM「開發8英寸新世代SiC MOSFET」入選NEDO綠色創新基金專案

2022年3月8日

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)針對日本國立研究開發法人新能源・產業技術綜合開發機構(以下簡稱NEDO)公開招募的「綠色創新基金事業/新世代數位基礎設施建設」專案中的研發項目之一「新世代功率半導體產品製造技術開發」,提出「開發8英寸新世代SiC MOSFET」(以下簡稱本專案)方案,並成功入選。

「綠色創新基金」是2020年12月25日由日本經濟產業省會同相關省廳制定的「2050年碳中和綠色成長戰略」中,為打造「經濟增長與環境保護的良性循環」而設立的基金。
「新世代數位基礎設施建設」專案的目標是要在實現碳中和社會的過程中,針對節能化和高性能化,促進其中不可或缺的數位基礎設施的研發及社會實際應用。而本專案希望透過提高新世代半導體製造技術能力,加速其在電動車和工控設備等領域中的普及。

一直以來,ROHM在SiC功率半導體的研發和量產方面都是走在時代前端。SiC功率半導體與以往的Si功率半導體相比,功率損耗非常小,因此可實現應用設備的小型輕量化,有望大幅提高數位基礎設施的節能性和性能。
ROHM將透過本專案,致力開發使用大直徑晶圓(8英寸)的製程和製造技術,加快採用該晶圓的新世代SiC MOSFET的開發和量產速度,藉由對各類型應用設備的節能化和小型化有所貢獻,助力永續發展社會的實現。

 

NEDO事業イメージ

 

想瞭解更多關於「綠色創新基金事業/新世代數位基礎設施建設」專案的資訊,請參閱NEDO網站新聞:
https://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_101513.html

 
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