何謂sic功率元件？
何謂sic功率元件？
- SiC半導體
SiC（碳化矽）是一種由Si（矽）和C（碳）構成的化合物半導體材料。其絕緣擊穿場強度是Si的10倍，能隙寬度是Si的3倍，基於這些優勢，SiC作為一種超越Si極限的功率元件材料被寄予厚望。 - SiC 蕭特基二極體
使用SiC可以透過具有高速特點的元件結構—SBD（蕭特基二極體）結構實現600V以上的高耐壓二極體。因此，用SiC SBD替換FRD（快速恢復二極體），能夠顯著減少反向恢復損耗。 - SiC-MOSFET
SiC元件的漂移層電阻比Si元件低，因此可以透過具有高速元件結構特點的MOSFET同時實現高耐壓和低阻值。 - SiC功率模組
搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的SiC功率模組可顯著降低由IGBT的尾電流和FRD的反向恢復電流引起的開關損耗。
