新設計不推薦
SCS306AP
Silicon carbide Schottky Barrier Diode
SCS306AP
新設計不推薦
SCS306AP
Silicon carbide Schottky Barrier Diode
為了既有客戶所需而生產的產品。對於新設計則不予販售。
Product Detail
規格:
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
6
Generation
3rd Gen
Total Power Dissipation[W]
46
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.6x10.2 (t=4.7)
功能:
- Shorter recovery time
- Reduced temperature dependence
- High-speed switching possible
- High surge current capability
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寬沿面距離封裝 SiC蕭特基二極體 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.16 MB )
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是採用小型表面安裝封裝、實現了寬沿面距離的SiC蕭特基二極體。雖為小型表面安裝封裝，但透過確保足夠的沿面距離，可減輕採取特殊絕緣對策（灌膠封裝 Potting）的負擔。
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是採用小型表面安裝封裝、實現了寬沿面距離的SiC蕭特基二極體。雖為小型表面安裝封裝，但透過確保足夠的沿面距離，可減輕採取特殊絕緣對策（灌膠封裝 Potting）的負擔。