新設計不推薦
SCS230AN
650V、30A、SMD、SiC蕭特基二極體
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SCS230AN
650V、30A、SMD、SiC蕭特基二極體
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SCS230AN
Description
為了既有客戶所需而生產的產品。對於新設計則不予販售。
Product Detail
Specifications Data Sheet
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
30
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
208
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
Features
- 低順向電壓
- 可忽略的恢復時間/電流
- 溫度獨立的開關行為
- 寬爬電距離 = 最小5.10mm
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影片一覽
寬沿面距離封裝 SiC蕭特基二極體 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12 00:00:00.0
( 1.16 MB )
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是採用小型表面安裝封裝、實現了寬沿面距離的SiC蕭特基二極體。雖為小型表面安裝封裝，但透過確保足夠的沿面距離，可減輕採取特殊絕緣對策（灌膠封裝 Potting）的負擔。
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是採用小型表面安裝封裝、實現了寬沿面距離的SiC蕭特基二極體。雖為小型表面安裝封裝，但透過確保足夠的沿面距離，可減輕採取特殊絕緣對策（灌膠封裝 Potting）的負擔。