S6604
1200V, 20A, SiC (碳化矽) SBD裸晶
S6604
S6604
1200V, 20A, SiC (碳化矽) SBD裸晶
S6604為SiC(碳化矽)外延平面型蕭特基二極體,可降低切換損耗,實現高速切換操作。
若需購買裸晶,請洽詢我方業務窗口確認規格。目前,我方未於網路經銷商販售裸晶。
Data Sheet
* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
20
Generation
3rd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
功能:
- 低正向電壓
- 恢復時間/電流微不足道
- 切換特性與溫度無關
- 高突波電流承受能力