S6403
SiC（碳化矽）蕭特基二極體Bare Die
S6403
S6403
SiC（碳化矽）蕭特基二極體Bare Die
S6403是SiC的外延平面型蕭特基二極體。其特點是恢復時間短、高速開關。
關於Bare Die的銷售請向本公司銷售部門諮詢規格。現在尚未進行網路銷售及經由網路公司進行銷售。
Product Detail
規格:
Reverse Voltage[V]
1700
Continuous Forward Current[A]
25
Generation
2nd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
功能:
· Shorter recovery time· Reduced temperature dependence
· High-speed switching possible
