ROHM Product Detail

BST38T2P4K01-VC (新產品)
HSDIP20, 1200V, 38A, 3相橋式, 車電用/工業級 SiC電源模組

BST38T2P4K01 是一款高性能 SiC 模組,額定電壓為 1200V,採用 6 合 1 結構,非常適合車載充電器 (OBC) 中的 PFC 和 LLC 電路。HSDIP20 採用具有優異散熱性能的絕緣基板。即使在高功率條件下,這也有助於保持穩定的晶片溫度,從而在緊湊的外形尺寸內實現高電流處理能力。與頂部冷卻的獨立元件相比,它提供了超過 3 倍的功率密度,是其他 DIP 模組的 1.4 倍。在 PFC 應用中,它可將安裝面積減少約 52%,極大地有助於 OBC 等應用中功率轉換電路的小型化。由於模組中內建了必要的功率轉換電路,它減少了設計工作量,並實現了 OBC 和其他應用中功率轉換電路的小型化。作為下一代汽車系統的關鍵解決方案,它支援高輸出、緊湊型電動動力總成的開發。

應用範例

  • 汽車系統:車載充電器、電動壓縮機等。
  • 工業設備:EV 充電站、V2X 系統、AC 伺服系統、伺服器電源、PV 逆變器、電源調節器等。

Product Detail

 
料號 | BST38T2P4K01-VC
狀態 | 推薦品
封裝 | HSDIP20
包裝形式 | Corrugated Cardboard
單位數量 | 180
最小包裝數量 | 60
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

38

Total Power Dissipation[W]

227

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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功能:

  • HSDIP20 封裝,搭載第 4 代 SiC-MOSFET
  • VDSS = 1200V
  • 低 RDS(on)
  • 可實現高速切換
  • 低切換損耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 緊湊設計
  • 具有高導熱性隔離
  • 整合 NTC 溫度感測器
  • 4.2kV AC 1s 絕緣

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