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SiC功率模組 - BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001由ROHM公司生產的SiC-DMOSFET和SiC-SBD構成,是2in1的SiC功率模組。

SiC小知識SiC半導體器件特徵解說SiC功率器件的應用手冊

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | BSM300D12P2E001
狀態 | 供貨中
封裝 | E
單位數量 | 4
最小包裝數量 | 4
包裝形式 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

300.0

Total Power Dissipation[W]

1875

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

功能:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.