SiC(碳化矽)功率模組 - BSM180C12P2E202

BSM180C12P2E202由羅姆公司生產的SiC-DMOSFET和SiC-SBD構成,是2in1的SiC功率模組。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | BSM180C12P2E202
狀態 | 推薦品
封裝 | E
單位數量 | 4
最小包裝數量 | 4
包裝形式 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

204.0

Total Power Dissipation[W]

1360

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Chopper

功能:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.