SiC(碳化矽)功率模組 - BSM080D12P2C008

本品是使用ROHM生產的SiC-DMOSFET和SiC蕭特基二極體的斬波結構的SiC MOSFET模組。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | BSM080D12P2C008
狀態 | 推薦品
封裝 | C
單位數量 | 12
最小包裝數量 | 12
包裝形式 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

80.0

Total Power Dissipation[W]

600

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

功能:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.