SCT4090KE (新產品)
1200V, 19A, 3接腳THD, 溝槽結構, 碳化矽(SiC) MOSFET
SCT4090KE (新產品)
1200V, 19A, 3接腳THD, 溝槽結構, 碳化矽(SiC) MOSFET
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Description
SCT4090KE是碳化矽(SiC)溝槽式MOSFET。特點包括高耐壓、低導通電阻和高速切換。
ROHM第四代SiC MOSFET的優點
與傳統產品相比,本系列產品的導通電阻約降低40%,開關損耗約降低50%。15V閘極-源極電壓使應用設計更輕鬆。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Features
- 低導通電阻
- 高速切換
- 快速逆向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛引線電鍍; 符合RoHS規範