SCT4062KWA
1200V、24A、7引腳SMD、溝槽結構、SiC MOSFET
SCT4062KWA
1200V、24A、7引腳SMD、溝槽結構、SiC MOSFET
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Description
SCT4062KWA是SiC（碳化矽）溝槽MOSFET。其特點為高耐壓、低導通電阻和高速開關。
ROHM第四代SiC MOSFET的優勢
與傳統產品相比，該系列導通電阻降低了約40%，開關損耗降低了約50%。15V的閘極源極電壓使應用設計更為簡便。
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
62
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
24
Total Power Dissipation[W]
93
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
Features
- 低導通電阻
- 高速開關
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 驅動簡單
- 無鉛引腳鍍層；符合RoHS指令
- 寬爬電距離 = 最小4.7mm
