SCT3022AL
N-channel SiC 功率MOSFET

溝槽閘極構造的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。

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本產品不建議使用的車載設備。

Product Detail

 
料號 | SCT3022ALGC11
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-247N
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

650

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

22

Generation

3rd Gen (Trench)

Drain Current[A]

93

Total Power Dissipation[W]

339

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

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功能:

・ Low on-resistance
・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant