SiC MOSFET - SCT2450KE

基於SiC的平面型MOSFET。(SiC-SBD非一體型) 其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | SCT2450KEC
狀態 | 可購買
封裝 | TO-247
單位數量 | 360
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

450.0

Drain Current[A]

10.0

Total Power Dissipation[W]

85

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

・ Low on-resistance
・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant