ROHM Product Detail

BM3GF01MUV-LBZ (開發中)
內建650 V GaN HEMT的功率因數校正控制器IC

本產品是工具機市場的優選產品。最適合用於這些應用。BM3GF01MUV-LBZ、BM3GF02MUV-LBZ內建650 V GaN HEMT,以及作為開關元件的功率因數校正轉換器 (Power Factor Correction: PFC),為所有需要改善功率因數的產品提供了精巧的最佳系統。PFC IC採用邊界導通模式控制,通過零電流檢測,可減少開關損耗並降低雜訊。內建GaN HEMT有助於小型化和高效率。此外,這款IC透過結合ROHM內建GaN HEMT的QR IC,可以外部控制PFC ON/OFF。在待機時不需要PFC時停止PFC,有助於降低待機功耗。

Product Detail

 
料號 | BM3GF01MUV-LBZE2
狀態 | 開發中
封裝 | VQFN41V8080K
包裝形式 | Taping
單位數量 | 1000
最小包裝數量 | 1000
RoHS | Yes

規格:

Controller Type

PFC

Channel

1

Zero Detect

Auxiliary Winding

W/W Input IEC61000-3-2 Class-C Support

Yes (LowTHD)

Vin1 (Typ.)[V]

2.5

Reference Voltage Accuracy (%)

1.5

Brown Out

No

VCC Discharge

Yes

OVP System

1 way

FET

-

VS Pin Over Voltage Protection (L/A)

Auto Restart

Vin1(Max.)[V]

38

VS Short Protection (L/A)

Auto Restart

BR PIN

No

Startup VOUT Overshoot Countermeasure Function

Yes

SW Frequency (Max.)[kHz]

250

Light Load mode

Yes

EN

Yes

Thermal Shut-down

Yes

Vmax (DrainMax) [V]

650

FET Withstand Voltage [V]

650

Under Voltage Lock Out

Yes

On Resistor (MOSFET)[Ω]

0.15

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

125

Package Size [mm]

8.0x8.0 (t=1.0)

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功能:

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