ROHM Product Detail

RQ3N060AT

P通道 -80V -18A, HSMT8, 功率MOSFET
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RQ3N060AT
P通道 -80V -18A, HSMT8, 功率MOSFET

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料號 | RQ3N060ATTB1
狀態 | 推薦品
封裝 | HSMT8 (Single,TB1)
包裝形式 | Taping
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
RoHS | Yes
* 本產品是標準級的產品。 本產品不建議使用的車載設備。

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Land Pattern Package Dimensions MSL SPICE Model Thermal Model
 

Description

RQ3N060AT是一款低導通電阻和高功率封裝的功率MOSFET，適用於開關和馬達驅動應用。

Product Detail

Specifications

Specifications

Package Code

HSMT8

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-80

Drain Current ID[A]

-18

RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)

0.046

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.046

Total gate charge Qg[nC]

32

Power Dissipation (PD)[W]

20

Drive Voltage[V]

-6

trr (Typ.)[ns]

35

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

Features

  • 低導通電阻
  • 高功率小型模壓封裝 (HSMT8)
  • 無鉛電鍍；符合RoHS指令
  • 100% Rg和UIS測試
  • 無鹵素
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