4V Drive Nch MOSFET - RSJ650N10

場效電晶體MOSFET。透過高階製程技術並針對行動裝置開發出具有低導通電阻特性的低耗電功率MOSFET。依據不同的用途,我們也提供小型、高功率和複合品等豐富的產品線,以應市場需求。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | RSJ650N10TL
狀態 | 推薦品
封裝 | LPTS (D2PAK)
單位數量 | 1000
最小包裝數量 | 1000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Grade

Standard

Package Code

TO-263 (D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Package Size[mm]

10.1x13.1 (t=4.5)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

65.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.007

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0065

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.007

Total gate charge Qg[nC]

260.0

Power Dissipation (PD)[W]

100.0

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

功能:

・4V驅動Type Nch 功率MOSFET