ROHM Product Detail

RQ3E180GN

4.5V驅動N溝道MOSFET
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RQ3E180GN
4.5V驅動N溝道MOSFET

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* 本產品是標準級的產品。 本產品不建議使用的車載設備。
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料號 | RQ3E180GNTB
狀態 | 推薦品
封裝 | HSMT8 (Single,TB)
包裝形式 | Taping
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
RoHS | Yes

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Data Sheet Land Pattern Package Dimensions MSL LTSpice Model SPICE Model Thermal Model
 

Description

功率MOSFET是採用微加工技術製造的低導通電阻元件，適用於廣泛的應用。廣泛的產品陣容，包括小型類型、高功率類型和複雜類型，可滿足市場上的各種需求。

Product Detail

Specifications

Specifications

Package Code

HSMT8

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

39

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0043

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0033

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0043

Total gate charge Qg[nC]

11

Power Dissipation (PD)[W]

20

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4511

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

Features

・低導通電阻。
・高功率封裝 (HSMT8)
・無鉛電鍍；符合RoHS標準
・無鹵素
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