R6530ENZ
低雜訊規格 Nch 650V 30A 功率MOSFET

R6xxxENx系列是重視易用性，以低雜訊性能為特點的Super Junction MOSFET產品。該系列產品可在音響和照明等需要盡可能抑制雜訊的應用中實現最佳性能。

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Product Detail

 
料號 | R6530ENZC17
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-3PF
單位數量 | 300
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Grade

Standard

Package Code

TO-3PF

Package Size [mm]

15.5x26.5 (t=5.7)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

650

Drain Current ID[A]

30.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.125

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.125

Total gate charge Qg[nC]

90.0

Power Dissipation (PD)[W]

86.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

640

Mounting Style

Leaded type

Bare Die Part Number

Available: K7457

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

功能:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
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