R6009ENJ
10V驅動型 Nch MOSFET

場效電晶體的MOSFET。ROHM提供微細化製程的「超低導通電阻元件」並可應用在大範圍領域的功率MOSFET。並可依用途推出符合小型・高功率・複合化的多樣產品陣容對應市場上的各種需求。

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Product Detail

 
料號 | R6009ENJTL
狀態 | 可購買
封裝 | LPTS (D2PAK)
單位數量 | 1000
最小包裝數量 | 1000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Grade

Standard

Package Code

TO-263 (D2PAK)

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

JEITA Package

SC-83

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

9.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.5

Total gate charge Qg[nC]

23.0

Power Dissipation (PD)[W]

40.0

Drive Voltage[V]

10.0

Trr (Typ.)[ns]

380

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K7409

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

功能:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
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