高速開關型, 650V 40A, 內建快速回復二極體, TO-3PFM, 場截止溝槽型IGBT - RGTH80TK65D

ROHM的IGBT(絕緣閘極型雙極電晶體)產品為廣大的高電壓、大電流應用的高效化和節能化做出了貢獻。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | RGTH80TK65DGC11
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-3PFM
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 450
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Series

TH: High speed SW

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

19

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.6

tf(Typ.) [ns]

47

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

66

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • High Speed Switching
  • Low Switching Loss & Soft Switching
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant