短路耐量 5µs, 650V 8A, 內建快速回復二極體, TO-262, 場截止溝槽型IGBT - RGT16NS65D(TO-262)

ROHM的IGBT(絕緣閘極型雙極電晶體)產品、協助大範圍高電壓・大電流應用的高效率化與節能。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | RGT16NS65DGC9
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-262
單位數量 | 1000
最小包裝數量 | 50
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

8

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

95

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

94

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant