低VCE(sat) 型, 600V 40A, 內建快速回復二極體, TO-3PFM, 場截止溝槽型IGBT - RGCL80TK60D

ROHM的IGBT(絕緣閘極型雙極電晶體)產品為廣大的高電壓、大電流應用的高效化和節能化做出了貢獻。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | RGCL80TK60DGC11
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-3PFM
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 450
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Series

CL: Low VCE(sat)

VCES [V]

600

IC(100°C)[A]

21

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.4

tf(Typ.) [ns]

204

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

57

BVCES (Min.)[V]

600

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Soft Switching
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant