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常見問題
  • 進入數位電晶體的內建電晶體之基極電流的計算方式為何？
    • 以下藉由DTC114EKA為例來進行說明。

      數位電晶體在動作時，為使基極電流會流經內建電晶體的射極-基極之間(EB間)，因此會在EB之間施加順向電壓(25℃時約為0.7V)。由於數位電晶體在內建電晶體的EB之間與並聯一電阻R2，因此R2也相同地被施加了0.7V。藉此我們可以得知R2流入了
      IR2=0.7V/10KΩ=70μA的電流。


      輸入電壓Vin為5V時，由於IN端子的電位為5V，內建電晶體的EB間電位差為0.7V，因此電阻R1的兩端被施以5V-0.7V = 4.3V的電壓。據此，我們可以得知R1流入了
      IR1=4.3V/10KΩ = 430uA的電流。


      因此，我們可以得知內建電晶體的基極流入430μA-70μA = 360μA的電流。


      我們可以透過這樣的方式來計算出流經電晶體的基極電流。要完全啟動電晶體時，請將輸出電流Io調整至基極電流的10~20倍以下或是調整輸入電壓Vin。若因輸入電壓Vin不足而無法送出足夠的輸出電流時，請使用輸入電阻R1較小的數位電晶體。


      溫度25℃時，射極-基極間的順向電壓約為0.7V，由於每上升1℃，順向電壓大約會減少2.2mV，因此在50℃時，電壓將會變成0.7V - (50℃-25℃) x 2.2mV = 0.645V左右。相反的，在-40℃時，電壓將會變成0.7 + (25℃ - (-40℃)) x 2.2mV = 0.843V左右。
      如上所述，請注意順向電壓：VF會依溫度而產生變化。另外在25℃時的順向電壓0.7V僅為參考值，誤差值大約為±0.1V。
      內建於數位電晶體中的電阻R1或R2可能會有±30%左右的誤差，請將電阻值的最差條件列入考量後再進行計算。
      由於順向電壓或電阻值可能會有誤差，因此上述的計算方式僅作為參考之用。
      • Products: Digital Transistors