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ROHM推出適用於AI伺服器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET
兼具業界最佳※SOA耐受量範圍和更低導通電阻 榮獲全球知名雲端平台認證推薦

※2025年6月11日 8080尺寸封裝100V耐壓功率MOSFET ROHM調查

2025年6月11日

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出100V耐壓的功率MOSFET*1「RY7P250BM」，為AI伺服器48V電源熱插拔電路*2，以及需要電池保護的工業設備電源等應用的理想之選。

RY7P250BM Press picture

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產品未來需求將不斷成長，可以輕易替代現有產品。另外新產品同時實現了更寬的SOA耐受量範圍*3（條件：VDS=48V、Pw=1ms/10ms）和更低導通電阻（RDS(on)）*4，既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高可靠性，亦能優化電源效率，降低功耗並減少發熱量。

為兼顧伺服器的穩定運行和節能，熱插拔電路須具有較寬的SOA耐受量範圍，以承受大電流負載。特別是AI伺服器的熱插拔電路，比起傳統伺服器需要更寬的SOA耐受量範圍。RY7P250BM的SOA耐受量在脈寬10ms時可達16A、1ms時可達50A，實現業界最佳性能，能夠對應過去MOSFET難以支援的高負載應用。

RY7P250BM是具有業界最佳SOA耐受量範圍的MOSFET，並且實現了更低的導通電阻，大幅降低了通電時的功率損耗和發熱量。具有寬SOA耐受量範圍的一般8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻大多為2.28mΩ，而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%，僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。因此有助於提升伺服器電源效率、減輕冷卻負擔並降低電力成本。

SOA性能比較

另外RY7P250BM更榮獲全球知名雲端平台認證推薦，預計未來將在AI伺服器領域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節能的伺服器電源領域中，RY7P250BM在更寬的SOA耐受量範圍與更低導通電阻之間取得絕佳平衡，因此在雲端應用中得到了高度好評。

新產品已經暫以每月100萬個的規模投入量產（樣品價格800日元/個，未稅）。前段製程的生產據點為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），後段製程的生產據點為OSAT（泰國）。另外已開始透過電商平台銷售。

今後ROHM將繼續擴大適用於伺服器和工業設備48V電源的產品陣容，透過高效率且高可靠性的電源解決方案，為永續ICT基礎設施和節能貢獻力量。

＜開發背景＞

隨著AI技術的飛速發展，資料中心的負載急遽增加，伺服器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的伺服器日益普及，如何兼顧提升電力效率和支援大電流等需求，一直是個課題。在此背景下，相較於傳統12V電源系統，具有更高轉換效率的48V電源系統正在加速擴大。另外在伺服器運行狀態下能實現模組更換的熱插拔電路中，需要搭載兼具更寬SOA耐受量範圍和更低導通電阻的MOSFET，以防止突波電流*5和超載時造成損壞。新產品「RY7P250BM」在8×8mm尺寸中，同時具備業界最佳SOA耐受量範圍和超低導通電阻，有助降低資料中心的功率損耗、減輕冷卻負擔，進而提升伺服器的可靠性，並且實現節能。

＜產品主要特性＞

產品型號 Data
Sheet		 極性 VDSS
[V]		 ID
[A]		 RDS(on)
Max.
[mΩ]
（VGS=
10V）		 Ciss
[pF]		 Qg
[nC]
（VGS=
10V）		 SOA汲極
電流容許值
（VDS=48V）
[A]		 封裝名
（尺寸[mm]）
Pw=
10ms		 Pw=
1ms
New
RY7P250BM		 PDF Nch 100 250 1.86 11300 170 16 50 DFN8080-8S Package
DFN8080-8S
（8.0×8.0×1.0）

＜應用示例＞

・AI（人工智慧）伺服器和資料中心48V系統電源熱插拔電路
・工業設備48V系統電源（堆高機、電動工具、機器人、風扇馬達等）
・AGV（無人搬運車）等以電池驅動的工業設備
・UPS、緊急電源系統（電池備份單元）

＜電商銷售資訊＞

發售時間：2025年6月起
電商平台：Chip One Stop、CoreStaff 等
產品型號：RY7P250BM

＜關於EcoMOS™品牌＞

EcoMOS™是ROHM開發的Si功率MOSFET品牌，非常適用於功率元件領域對節能要求高的應用。
EcoMOS™產品陣容豐富，已被廣泛用於家用電器、工業設備和車載等領域。客戶可根據應用需求，透過雜訊性能和開關性能等各種參數，從產品陣容中選擇產品。

EcoMOS™

・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

＜名詞解釋＞

*1）功率MOSFET
適用於功率轉換和開關應用的一種MOSFET。目前透過向閘極施加相對於源極的正電壓而導通的Nch MOSFET為主流產品，比起Pch MOSFET，具有導通電阻小、效率高等特點。因可實現低損耗和高速開關而被廣泛用於電源電路、馬達驅動電路和逆變器等應用。

Hot Swap電路示意圖

*2）熱插拔電路
可在設備電源運轉狀態下實現元件插入或拆卸、支援熱插拔功能的電路。由MOSFET、保護元件和電子連接器等組成，負責抑制元件插入時產生的突波電流並提供過電流保護，確保系統和所連接元件的安全工作。
*3）SOA（Safe Operating Area）耐受量範圍
元件不會損壞且可以安全工作的電壓和電流耐受量範圍。若超出該安全工作區可能會導致熱失控或損壞，特別是在可能發生突波電流和過電流的應用中，需要考慮SOA耐受量範圍。
*4）導通電阻（RDS(on)）
MOSFET工作（導通）時汲極與源極間的電阻值。該值越小，工作時的損耗（功率損耗）越少。
*5）突波電流（Inrush Current）
在電子設備接通電源時，瞬間流經超過額定電流值的大電流。因會造成電源電路中元件的負荷，所以透過控制突波電流，可防止設備損壞並提高系統穩定性。

＜Video＞