ROHM Product Detail

BST70T2P4K01-VC (新產品)

HSDIP20, 1200V, 70A, 三相橋式, 車電用/工業用SiC功率模組
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BST70T2P4K01-VC
(新產品)

BST70T2P4K01-VC (新產品)
HSDIP20, 1200V, 70A, 三相橋式, 車電用/工業用SiC功率模組

BST70T2P4K01是一款高性能SiC模製模組，額定電壓為1200V，採用6合1結構，是車載充電器(OBC)中PFC和LLC電路的理想選擇。HSDIP20採用具有優異散熱性能的絕緣基板。這有助於即使在高功率條件下也能保持穩定的晶片溫度，從而在緊湊的外形中實現高電流處理。與頂部散熱分立元件相比，其功率密度是頂部散熱分立元件的3倍以上，是其他DIP模組的1.4倍。在PFC應用中，可減少約52%的安裝面積，大大有助於OBC等應用中功率轉換電路的微型化。透過模組中內建的必要功率轉換電路，可減少設計工作量，並實現OBC和其他應用中功率轉換電路的微型化。作為下一代車用系統的關鍵解決方案，它支援高輸出、緊湊型電動動力系統的開發。

應用範例

  • 車用系統：車載充電器、電動壓縮機等。
  • 工業設備：電動車充電站、V2X系統、交流伺服器、伺服器電源、光伏逆變器、電源調節器等。

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Product Detail

 
料號 | BST70T2P4K01-VC
狀態 | 可購買
封裝 | HSDIP20
包裝形式 | Corrugated Cardboard
單位數量 | 180
最小包裝數量 | 60
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

70

Total Power Dissipation[W]

385

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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功能:

  • 配備第4代SiC-MOSFET的HSDIP20封裝
  • VDSS = 1200V
  • 低RDS(on)
  • 可高速切換
  • 低開關損耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 緊湊型設計
  • 具有高導熱絕緣性能
  • 整合NTC溫度感測器
  • 4.2kV AC 1s絕緣

參考設計 / 應用評估套件

 
    • Reference Design - REF68005
    • Evaluation Kit for a 3-phase Inverter (kW-class) using HSDIP20

    • The HSDIP20 is a SiC-MOSFET module designed to operate with several kW to tens of kW of power. This evaluation kit uses the HSDIP20 for a several kW three-phase inverter.

      *This design provides design information only.

Videos & Catalogs

 
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