SCT4065DE (新產品)
750V, 25A, 3接腳THD、溝槽式結構、SiC MOSFET
SCT4065DE (新產品)
750V, 25A, 3接腳THD、溝槽式結構、SiC MOSFET
SCT4065DE是一款SiC (碳化矽)溝槽式MOSFET。特點是高耐壓、低導通電阻和高開關速度。
ROHM第四代SiC MOSFET的優點
與傳統產品相比，該系列的導通電阻降低了約40%，開關損耗降低了約50%。15V的閘源電壓使應用設計更為簡單。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
功能:
- 低導通電阻
- 高速開關
- 高速逆回復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍；符合RoHS指令
