S4002
N-channel SiC（碳化矽）功率MOSFET Bare die
S4002
S4002
N-channel SiC（碳化矽）功率MOSFET Bare die
S4002是SiC（碳化矽）溝槽型MOSFET。其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。
關於Bare Die的銷售請向本公司銷售部門諮詢規格。現在尚未進行網路銷售及經由網路公司進行銷售。
Data Sheet
* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
22
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
93
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
功能:
· Low ON resistance· Fast switching speed
· Fast revese recovery
· Easy to parallel
· Simple to drive
