BM2LE080FJ-C
車載用IPD 2ch 低邊開關 帶診斷輸出功能

BM2LE080FJ-C是一款適用於車載12V應用的IPD雙通道低邊開關。產品內置OCP、Dual TSD及有源箝位功能,利用其診斷功能可以進行TSD診斷。

Product Detail

 
料號 | BM2LE080FJ-CE2
狀態 | 推薦品
封裝 | SOP-J8
包裝形式 | Taping
單位數量 | 2500
最小包裝數量 | 2500
RoHS | Yes

功能安全:

類別 : FS supportive
A product that has been developed for automotive use and is capable of supporting safety analysis with regard to the functional safety.

規格:

Type

Low side switches

Generation

GEN2

Qualification Grade

AEC-Q100 (Automotive Grade)

Feature

Standard / Error Flag

Overcurrent Protection

Limitation

Thermal Shut Down

Self-restart

Channel Number [ch]

2

ON Resistance(Typ.)[mΩ]

80

ON Resistance(Max.)[mΩ]

200

Nominal Current(Typ.)[A]

9

Supply Voltage(Min.)[V]

3

Supply Voltage(Max.)[V]

5.5

Drain-Source Voltage (Max.)[V]

40

Single Pulse Energy 25°C [mJ]

200

Over Current Limit (Min.)[A]

9

Under voltage Detection Level(Max.)[V]

3

Current consumption(Typ.)[µA]

100

Junction Temperature Tj (Min.)[°C]

-40

Junction Temperature Tj (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1.65)

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功能:

  • Built-in Dual TSD(This IC has thermal shutdown Junction temperature detect and ΔTj Protection Power-MOS steep temperature rising detect.)
  • AEC-Q100 Qualified(Grade 1)
  • Built-in Over Current Protection Function(OCP)
  • Built-in Active Clamp Function
  • Direct Control Enabled from CMOS Logic IC, etc.
  • On Resistance RDS(ON) = 80mΩ (Typ)(VIN = 5V, IOUT = 1.5A, Tj = 25℃)
  • Monolithic Power Management IC with the Control Block(CMOS) and Power MOS FET Mounted on a Single Chip

Supporting Information

 

背景

近年來,在車電和工控設備領域中,自動駕駛(自動化)的相關技術創新日新月異,對安全性的要求也越來越高。在進行設備開發時,必須考慮到如何在緊急情況下確保功能安全。傳統上,通常採用機械繼電器或MOSFET來執行電子電路的ON/OFF控制,但它們在系統故障時並不具備相對應的保護功能。從功能安全的角度來看,IPD具有保護功能,而且在壽命和可靠性的方面也表現非常出色,因而得以日益普及,市場規模也不斷擴大。針對市場對於提升可靠性的需求,ROHM早在2014年就開始構建IPD專用製程。透過大幅提高專用製程的電流承載能力,並結合ROHM的類比設計技術優勢,成功擴大了產品陣容。

「BV1LExxxEFJ-C/BM2LExxxFJ-C系列」和市場競品的接觸放電耐受量比較
ROHM IPD產品系列

概要

IPD不僅可以進行電子電路的ON/OFF控制,還內建保護功能,可保護電路避免受到電氣故障(異常時的過電流)的影響,有助構建安全且高可靠性的系統。「BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列」配置在馬達和照明等控制設備的下側(接地側、GND側)電路中,從電路結構方面來看,具有可輕鬆替換機械繼電器和MOSFET、以及易於設計的優點。

IPD內部的功率MOSFET部分在關斷時會因反電動勢而發熱,而「BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列」採用了ROHM獨家電路和元件技術「TDACC™」,透過優化控制流經電流的通道數量,在保持小型封裝的前提下,成功抑制了發熱量並且具備了低導通電阻。由於上述特性在小型IPD中很難同時兼顧,因此非常有助設備的安全動作和降低功耗。此外,因採用TDACC™技術可以進一步縮小封裝,成功實現了目前業界尚不多見的SOP-J8封裝雙通道輸出40mΩ(導通電阻)的產品。單通道和雙通道產品均有40、80、160、250mΩ多種導通電阻值可供選擇,能夠滿足客戶多樣化的需求。另外接觸放電耐受量(表示對過電流突波的耐受能力)也高於市場競品,有助各種應用設備的安全動作。

IPD內部的功率MOSFET的一般構造和ROHM獨創TDACC™構造的比較

應用範例

◇BCM(Body Control Module)、外飾燈和內飾燈、引擎、變速箱等車電設備
◇PLC(Programable Logic Controller)等工控設備
以及其他各類型應用。

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