BR34E02FVT-3
DDR2/DDR3 SPD EEPROM
BR34E02FVT-3
BR34E02FVT-3
DDR2/DDR3 SPD EEPROM
序列EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)為非揮發性記憶體，並能在基板上以電氣方式進行改寫。改寫的單位可採位元組(byte)進行，最適合使用於資料的儲存。ROHM的序列EEPROM為擁有高可靠性的最高等級產品系列。世界頂級水準的ROHM序列EEPROM在全球具有高度的市佔率，並備有豐富的容量、介面與封裝可供選擇。ROHM的序列EEPROM備有世界標準的BUS類型(Microwire、I²C、SPI)，以及寬廣的操作電壓範圍(1.8 ～ 5.5V，2.5 ～ 5.5V)，最適合電池裝置使用。全系列產品均採無鉛製程，並符合RoHS指令。
Product Detail
規格:
Series
Plug and Play
Density [bit]
2K
Bit Format [Word x Bit]
256 x 8
Comment
Cu wire bonding.
Vcc(Min.)[V]
1.7
Vcc(Max.)[V]
5.5
Circuit Current (Max.)[mA]
2
Standby Current (Max.)[μA]
2
Write Cycle (Max.)[ms]
5
Input Frequency (Max.)[Hz]
400k
Endurance (Max.)[Cycle]
106
Data Retention (Max.)[Year]
40
I/F
I2C BUS(2-Wire)
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
85
Package Size [mm]
3x6.4 (t=1.2)
功能:
・記憶體模組用的SPD記憶體・寬廣的工作電壓範圍：1.7 ~ 5.5V
・可改寫高達1,000,000次
