GNP3290TJ-Z (開發中)
EcoGaN™，650V 6A TO252-J3F，E模式氮化鎵(GaN) HEMT
GNP3290TJ-Z (開發中)
EcoGaN™，650V 6A TO252-J3F，E模式氮化鎵(GaN) HEMT
規格書
DATA SHEET
DATA SHEET
* 本產品是標準級的產品。 本產品不建議使用的車載設備。
料號 | GNP3290TJ-ZE1
狀態 |
開發中
封裝 |
TO252-J3F
包裝形式 | Taping
單位數量 | 2500
最小包裝數量 | 2500
RoHS | Yes
MSL | 3
GNP3290TJ-Z
Description
GNP3290TJ-Z是一款650V增強型GaN HEMT。適用於高開關頻率轉換器和高密度轉換器等應用。作為ROHM EcoGaN™產品線的一部分，該產品利用GaN的高速開關性能，有助於降低應用功耗，縮小外圍元件尺寸，減少設計工作量和元件數量，從而有助於節能和精巧的系統設計。
Product Detail
Specifications Data Sheet
VDS [V]
650
IDS [A]
6
VGS Rating [V]
7
RDS(on) [mΩ]
290
Qg [nC]
1.3
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
6.6x10.1 (t=2.38)
Features
- 650V E-mode GaN HEMT
- 290mΩ 電阻
- 1.3nC 閘極電荷
- HBM ESD Class 1C (JEDEC標準)
