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離散式元件
(14)
SiC功率元件
(14)
SiC(碳化矽)蕭特基二極體Bare Die
(14)
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SiC-MOSFET串聯時,要注意什麼?
‧上側裝置的對地絕緣僅能保證裝置的絕緣耐電壓。
需‧要串連數的閘極電壓用浮動電源。
‧串聯時,由於導通電阻的溫度係數為正數,為了防止熱失控,考量產品的誤差,請保留充分的電流降額。
‧以串聯作為高耐壓的單刀開關使用時,建議採取透過並聯插入高電阻等可適當分壓的對策。
‧若不校準開關的時間點,將造成過耐壓破壞。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 486
SiC產品中,個別半導體與模組品有不同的汲極-源極額定電流是為何?
因為使用溫度條件不同。
模組:接合部溫度 (Tj)150℃,外殼溫度(Tc)60℃
MOSFET:接合部溫度 (Tj)175℃,外殼溫度(Tc)25℃
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 487
是否針對SiC-MOSFET、SiC模組產品中閘極驅動電路的閘極訊號,提供建議的可容許電感值?
不提供具體的指標。
從元件的閘極端子到閘極驅動電路的旁路電容端子之配線長最有影響,從元件的源極端子到機板上接地圖樣的配線電感也須要考量。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 494
SiC-MOSFET的內接二極體的恢復時間相較於Si-MOSFET相當短是為何?
SiC-MOSFET的內接二極體為pn接合,由於少數載子壽命短,幾乎看不到少數載子的累積效果,呈現與SBD同等的超高速恢復性能(數十ns)。
恢復時間與SBD相同,不依賴順方向注入電流、維持固定。(dI/dt為固定的情況下)。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 498
SiC-MOSFET的內接二極體的順向壓降高是為何?
由於SiC的能隙約為Si的倍,pn二極體的臨界電壓為3V前後偏大,順向壓降變得較高。
不過,橋接電路等在整流中,因為藉由Gate on訊號可達成逆導通,不太有實質的固定損耗問題。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 499
關於SiC-MOSFET的元件構造,平面型與溝槽型的優缺點為何?
溝槽型的優點可列舉為
①導通電阻小
②寄生電容小
③開關性能佳等
缺點為由於導通電阻小,短路耐量短。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 500
內建SiC-SBD之SiC-MOSFET產品的規格書所記載的二極體規格為內接二極體與SiC-SBD其中哪一個規格呢?
由於在內部連接,無法從外部切割特性。
不過,由於SiC-SBD的VF小,一般的使用範圍下,順向電流僅流向SiC-SBD,所以If-Vf特性與逆回復特性幾乎是SiC-SBD的特性。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 501
SiC-MOSFET產品中破壞電壓規格的溫度條件?
常溫(Ta=25℃)。
高溫則漏電流與破壞電壓微幅增加。
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Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 503
以金屬簧片按住元件產品模具上部部分時的絕緣電阻值會降低嗎?
露出的金屬部分(封裝背面散熱部以及切割的金屬露出部)與汲極同電位。
因此,以金屬板接觸封裝表面(標印面)時,有可能沿面距離不足。
請確認依據使用環境之沿面距離規定。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 505
SiC產品之SPICE模型的動作環境為何?
動作確認的環境為「Pspice」系列的軟體、
①SIMetrix
②Ltspice
③OrCAD等。
「HSpice」系列則由於未支援雙曲線函數,會有無法使用的情形。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
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SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
FAQ ID: 507
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