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SiC-MOSFET的內接二極體的順向壓降高是為何?
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常見問題
SiC-MOSFET的內接二極體的順向壓降高是為何?
由於SiC的能隙約為Si的倍,pn二極體的臨界電壓為3V前後偏大,順向壓降變得較高。
不過,橋接電路等在整流中,因為藉由Gate on訊號可達成逆導通,不太有實質的固定損耗問題。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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