使用 Internet Explorer的用戶:
瀏覽ROHM 網站不推薦使用 IE11 瀏覽器。為了更方便地使用 ROHM 網站,請更新您的瀏覽器。
新聞
招募資訊
聯絡我們
網站內搜索
羅姆產品
產品對照表
網路通路商庫存
Global - English
Americas - English
Europe - English
Europe - Deutsch
ASEAN/India - English
简体中文
繁體中文
한국어
日本語
登入 myROHM
製品
技術支援
應用
購買與服務支援
企業資訊・投資人資訊
永續發展
登入 myROHM
製品
技術支援
應用
購買與服務支援
企業資訊・投資人資訊
永續發展
首頁
FAQ Search
Part Number Search
Product Category
離散式元件
(22)
雙載子電晶體
(22)
雙載子電晶體
(22)
通用型雙載子電晶體
(22)
FAQ Category
Product type / feature / difference
Absolute Maximum Ratings (Voltage / Current / Temperature)
Thermal resistance (θ), thermal parameter (ψ)
Electrostatic discharge failure
Other general FAQs
Reset All
常見問題
Show All Answers
Hide All Answers
showing 1 to 10 of 22
是否可以在使用時的某一瞬間超過絕對最大額定值?
在使用時,不可有任一瞬間超過絕對最大額定值,否則可能會造成電晶體損壞或hFE降低。在單一PULSE時,請確認使用的範圍是否在安全動作領域(SOA)內。連續PULES時,必須出計算電力或元件溫度。詳細的判斷程序請參考「使用可否的判斷方法」/「元件溫度的計算方法」。
(請一併參閱“降額(Derating)”的相關項目。)
Products:
Bipolar Transistors
,
MOSFETs
FAQ ID: 230
基極電流的最大額定值為何?
基極電流的最大額定值是集極電流之最大額定值的1/3 (使用Darlington電晶體時為1/10)。
例:2SD2656時
由於集極電流的最大額定值為DC時的1A以及PULSE時的2A,因此基極電流的最大額定值分別為DC時的333mA以及PULSE時的666mA。
若將數位電晶體維持在規格書中所記載的Vin額定值,則輸入電流就不會超過最大額定值。
Products:
General Purpose Bipolar Transistors
,
Complex Transistors
,
Darlington Transistors
FAQ ID: 231
是否可於在集極射極間施加耐壓與反方向電壓?
NPN電晶體在將射極接地時,對集極施加正電壓時的耐壓即為規格書中所記載的VCEO (PNP電晶體在將集極接地時,對射極所施加的正電壓為VCEO。)
與此反方向(NPN的情形下,將集極接地,對射極施加正電壓時)的耐壓與射基極間的耐壓大約相同。射極-基極間之耐壓一般為5-7V,因此集極-射極間的逆向電壓請保持在5V以下(在集極-射極間加上大約與耐壓?相同的反向電壓時,可能會造成hFE?降低)。若集極-射極間的反向電壓在5V以下,則電流的流通程度僅約略與漏電流相同。
如上所示,數位電晶體亦可在集極-射極間(OUT-GND間)施加5V以下的反向電壓。若GND-IN間有電阻的時候,電流將透過這個電阻流過。
Products:
General Purpose Bipolar Transistors
,
Complex Transistors
,
Darlington Transistors
FAQ ID: 232
hFE實際值的公差為何?
hFE的範圍已標示於本公司的規格書當中。有些產品標示有上下限,有些產品僅標示有下限。標示有上下限的產品,其實際值可能包含所有範圍之數值,而僅標示有下限的產品,其實際值可能會達到下限值的數倍。詳細資訊請與"本公司業務人員"洽詢。
Products:
General Purpose Bipolar Transistors
,
Complex Transistors
,
Darlington Transistors
FAQ ID: 233
若在瞬間流經超過額定值電流以上的電流的話,要怎麼判斷是不是可以繼續使用?
各產品都有其各自的SOA (Safe Operating Area),若位於其範圍內,則可判斷為可使用。
例:VDS = 20V、Idpeak = 2A、Pw = 100μs時 ⇒ 位於Pw = 100μs的範圍內,因此可以使用。
Products:
Bipolar Transistors
,
MOSFETs
FAQ ID: 237
環境溫度變化時,是否有需特別注意之事項?
必須配合環境溫度降低(derating)額定功率(Pc)。請參考下列圖表,並配合環境減少施加在電晶體上的電力。
必須針對安全動作範圍(SOA)進行降額(derating),詳細資訊請參閱『為了安全地使用ROHM的電晶體-可否使用TR的判斷方法』。
在電氣的特性上,例如雙極電晶體/數位電晶體都有輸入電壓(VBE, VI(on), VI(off),)、hFE, GI依溫度而變動的特性。請參考電氣特性區線來設計出不易隨著溫度變化而產生問題的電路。MOSFET亦需進行相同考量。
Products:
Bipolar Transistors
,
MOSFETs
FAQ ID: 239
請問有沒有電晶體/二極體的物質安全資料表「MSDS(SDS)」?
該製品屬於固態物,並不適用MSDS規範,故無法製作或提供MSDS資料。
Products:
Bipolar Transistors
,
MOSFETs
FAQ ID: 340
我們可以認為在晶體管的熱阻抗,封裝相同的產品,溝道外氣間的熱阻抗也會相同嗎?
小訊號產品是相同這樣的看法是不會有太大的差異,但是電源產品額定值不同,即使相同的封裝熱阻抗值也不同。
Products:
Bipolar Transistors
,
MOSFETs
FAQ ID: 381
在晶體管的熱阻抗,熱量大,考量必須有條件的記載以上的基板面積時,此時的計算方法該如何做較好呢?
各別檢測使用基板的Rth是必要的程序。
Products:
Bipolar Transistors
,
MOSFETs
FAQ ID: 382
無鹵素化的原因為何?
一直以來都是使用內含符合RoHS指令的溴化阻燃劑的模鑄樹脂,但為了進一步減少對環境的影響,而採用無鹵樹脂。
半導體製造商羅姆對無鹵的定義(在均質材料中):
(1)氯在900ppm以下
(2)溴在900ppm以下
(3)氯及溴的含量合計在1500ppm以下
(4)三氧化二銻在1000ppm以下。
此定義符合IEC61249規定且滿足對環境管理要求嚴格的歐洲主力製造商的需求值。
Products:
Bipolar Transistors
,
MOSFETs
FAQ ID: 418
showing 1 to 10 of 22
Items per Page
10
20
50
Page
1
2
3
of 3
First
Previous
Next
Last
Please Wait...