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(37)
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(37)
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(37)
車用EEPROM
(37)
MicroWire BUS (3-Wire) EEPROM
(37)
FAQ Category
Notation of Datasheet's condition
Product type / feature / difference
Unused circuit / terminal, NC terminal processing
Pull up, Pull down
Operating power supply voltage (range / variation)
Power supply (VDD / VCC / VIN) rise time, operation time
Characteristics of output voltage
Output circuit configuration
Number of rewrites / data retention characteristics
Write (Start / Execute / Time / BUSY state)
Write (page / all addresses)
Write (enable / disable / protect)
Reading data
Memory area: Capacity and bit
Command and opcode
Power-on reset (POR)
clock
Timing chart
Multiple connection or cascade connection
Initial value
Parasitic capacitance of the terminal
Reduced voltage detection (UVLO / LVCC)
Operating frequency
Reset All
常見問題
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showing 1 to 10 of 37
關於EEPROM,
請告知在Datasheet中的標準值中,僅有Min/Max而沒有Typ記載的專案實際測量值。
確認各特性的實際測量值時,請參考Datasheet中記載的特性圖。
FAQ ID: 1820
偶發性故障是什麼?
在使用者的使用過程中,記憶體元件突然發生故障的情形,並因此造成資料錯誤。
EEPROM記憶體元件的具有一定程度的複寫次數限制(ROHM的產品可達業界最高水準100萬次)。
在此一限制次數內,各公司均未保証產品不會發生偶發性故障的現象(僅於出貨時確認所有bit均為正常狀態)。
為改善此偶發性的不良情形,ROHM導入W-CELL (雙元件)結構,實現資料的高度可靠性。
FAQ ID: 7
關於Microwire的EEPROM,
請告知NC端子、DU端子的不同點,以及推薦的引腳處理方法。
DU端子已連接到晶片的測試電路。端子處理請參考下表。端子處理時,不需要VCC/GND的上拉/下拉電阻。NC端子未連接到晶片。
Pin Name
Input Equivalent Circuit
Handling of Unused Pin
Description
DU
OPEN
GND
VCC
Unused terminals may be set to high, low, or open.
NC
OPEN
GND
VCC
NC pins are not connected internally.
產品:BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列
FAQ ID: 25
關於Microwire的EEPROM,
上拉/下拉輸入端子(CS、SK、DI)、輸出端子(DO)時,需要插入電阻嗎?
CS端子[需要下拉電阻]為防止電源在ON/OFF時的CS不穩定引起的誤寫入,請在CS端子處連接下拉電阻。SK、DI端子[無需上拉/下拉電阻]如將下拉電阻和CS端子連接,電源ON/OFF時確定“L”,SK、DI端子就會被忽略,這樣就無需特別的下拉電阻。DO 輸出 (在資料讀取和寫入指令後輸出READY/BUSY時除外“High-Z”)[無需上拉/下拉電阻]DO為“High-Z”,但指令側沒有影響時,不需要上拉/下拉電阻。[需要上拉/下拉電阻]DO為“High-Z”,但如果指令側有可能會誤動作,需要上拉/下拉電阻。產品:BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列
FAQ ID: 1808
關於EEPROM,
請告知如何在接通電源時禁止誤寫入。
請遵守Datasheet中所記載的電源啟動時間及電壓的規定。
在VCC完全上升之前,請將輸入端子保持以下狀態。
Microwire: 將CS端子下拉成GND (產品: BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列)SPI: 將CSB端子上拉成VCC (產品: BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列)I2C: 將SDA設為“H”,且將SCL設成“H”或“L” (產品: BR24G-3/BR24G-3A/BR24A-WM/BR24T-3AM系列)
FAQ ID: 1797
在寫入或讀取EEPROM時若電源突然中斷的話,會發生什麼事?
此時低電壓誤寫防止回路(LV
CC
回路)將開始作動,並同時取消寫入指令以防止資料誤寫。
在啟動時請注意要一併啟動“Power On Reset (P.O.R回路)”。
應用產品: BR24Lxx Series, BR25Lxx0 Series, BR93Lxx Series
FAQ ID: 13
關於Microwire的EEPROM,
在“H”輸出電壓最小值2.4V的記載中,請告知為什麼5V系列I/O設定得較低。
Microwire匯流排為傳統的通信方式,為假設TTL電平連接的規格。
產品:BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列
FAQ ID: 1819
關於Microwire的EEPROM,
請告知DO輸出端子的電路結構。
DO輸出為CMOS結構。不是汲極開路。
產品:BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列
FAQ ID: 1840
覆寫次數是如何定義的?
也就是每個位元保證可覆寫100萬次,
而非IC本身的覆寫次數。
註1) 覆寫次數取決於工作溫度條件如需索取覆寫次數的實測值資料,請另行洽詢本公司業務人員。
註2) 覆寫次數與資料儲存年限之間並無相關性。
FAQ ID: 17
關於EEPROM,
資料改寫次數是否也包含資料刪除次數?
資料刪除也在改寫次數之內。
FAQ ID: 1822
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