使用 Internet Explorer的用戶:
瀏覽ROHM 網站不推薦使用 IE11 瀏覽器。為了更方便地使用 ROHM 網站,請更新您的瀏覽器。
新聞
招募資訊
聯絡我們
網站內搜索
羅姆產品
產品對照表
網路通路商庫存
Global - English
Americas - English
Europe - English
Europe - Deutsch
ASEAN/India - English
简体中文
繁體中文
한국어
日本語
登入 myROHM
製品
技術支援
應用
購買與服務支援
企業資訊・投資人資訊
永續發展
登入 myROHM
製品
技術支援
應用
購買與服務支援
企業資訊・投資人資訊
永續發展
首頁
FAQ Search
Part Number Search
Product Category
IC
(38)
記憶體
(38)
序列EEPROM
(38)
車用EEPROM
(38)
SPI BUS EEPROM
(38)
FAQ Category
Notation of Datasheet's condition
Product type / feature / difference
Product Replacement
Pull up, Pull down
Operating power supply voltage (range / variation)
Power supply (VDD / VCC / VIN) rise time, operation time
Input (rise / fall) time
Output (rise / fall / transmission) time
Output circuit configuration
Number of rewrites / data retention characteristics
Write (Start / Execute / Time / BUSY state)
Write (page / all addresses)
Write (enable / disable / protect)
Reading data
Memory area: Capacity and bit
Status register
Command and opcode
Power-on reset (POR)
clock
Timing chart
Multiple connection or cascade connection
Initial value
Parasitic capacitance of the terminal
Reduced voltage detection (UVLO / LVCC)
Operating frequency
Reset All
常見問題
Show All Answers
Hide All Answers
showing 1 to 10 of 38
關於EEPROM,
請告知在Datasheet中的標準值中,僅有Min/Max而沒有Typ記載的專案實際測量值。
確認各特性的實際測量值時,請參考Datasheet中記載的特性圖。
FAQ ID: 1820
偶發性故障是什麼?
在使用者的使用過程中,記憶體元件突然發生故障的情形,並因此造成資料錯誤。
EEPROM記憶體元件的具有一定程度的複寫次數限制(ROHM的產品可達業界最高水準100萬次)。
在此一限制次數內,各公司均未保証產品不會發生偶發性故障的現象(僅於出貨時確認所有bit均為正常狀態)。
為改善此偶發性的不良情形,ROHM導入W-CELL (雙元件)結構,實現資料的高度可靠性。
FAQ ID: 7
關於SPI的EEPROM,
請告知BR25H-2C相對於BR25H-WC系列的不同點、改善點和替換方法。
相對於BR25H-WC系列而言,BR25H-2C系列對資料保存特性以及工作速度等方面進行了改善,雖然可以透過高端相容、相同功能進行替換,但還是請根據實際用途做好充分確認。請參考比較資料。
相關連結:
技術資料
FAQ ID: 1800
關於SPI的EEPROM,
請告知BR25H-2C相對於BR35H-WC系列的不同點、改善點和替換方法。
從BR35H-WC系列到BR25H-2C系列追加的功能有以下3點。
追加功能端子
將NC端子變更成保持(HOLDB)端子、防寫(WPB)端子
在狀態寄存器中追加WPEN、BP1、BP0(3bit)
WPEN (防寫使能): WPB端子的有效/無效設定(僅8Kbit以上的產品)
BP1、BP0 (塊保護):寫入禁止範圍設定
追加寫入狀態寄存器指令
追加到狀態寄存器的3bit使用EEPROM單元,可以透過指令寫入。如果未使用HOLDB、WPB端子,請對VCC進行上拉處理(無需電阻)。在特性方面,改善了資料保存特性、改寫次數、寫入時間,並具有高端相容性,可直接替換。請參考比較資料。
相關連結:
技術資料
FAQ ID: 1781
關於EEPROM,
請告知如何在接通電源時禁止誤寫入。
請遵守Datasheet中所記載的電源啟動時間及電壓的規定。
在VCC完全上升之前,請將輸入端子保持以下狀態。
Microwire: 將CS端子下拉成GND (產品: BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列)SPI: 將CSB端子上拉成VCC (產品: BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列)I2C: 將SDA設為“H”,且將SCL設成“H”或“L” (產品: BR24G-3/BR24G-3A/BR24A-WM/BR24T-3AM系列)
FAQ ID: 1797
在寫入或讀取EEPROM時若電源突然中斷的話,會發生什麼事?
此時低電壓誤寫防止回路(LV
CC
回路)將開始作動,並同時取消寫入指令以防止資料誤寫。
在啟動時請注意要一併啟動“Power On Reset (P.O.R回路)”。
應用產品: BR24Lxx Series, BR25Lxx0 Series, BR93Lxx Series
FAQ ID: 13
關於SPI的EEPROM,
在SO的上升和下降中,資料輸出延遲時間tPD的規定是否一樣?
tPD的規定就是從SCK的下降到SO的上升,或者是SCK的下降到SO下降的時間。
產品:BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列
FAQ ID: 1826
關於SPI的EEPROM,
請告知SO輸出端子的電路結構。
SO輸出為CMOS結構,而非汲極開路。
產品:BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列
FAQ ID: 1817
覆寫次數是如何定義的?
也就是每個位元保證可覆寫100萬次,
而非IC本身的覆寫次數。
註1) 覆寫次數取決於工作溫度條件如需索取覆寫次數的實測值資料,請另行洽詢本公司業務人員。
註2) 覆寫次數與資料儲存年限之間並無相關性。
FAQ ID: 17
關於EEPROM,
資料改寫次數是否也包含資料刪除次數?
資料刪除也在改寫次數之內。
FAQ ID: 1822
showing 1 to 10 of 38
Items per Page
10
20
50
Page
1
2
3
4
of 4
First
Previous
Next
Last
Please Wait...