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(35)
FAQ Category
Notation of Datasheet's condition
Product type / feature / difference
Pull up, Pull down
Operating power supply voltage (range / variation)
Power supply (VDD / VCC / VIN) rise time, operation time
Input (rise / fall) time
Output (rise / fall / transmission) time
Output circuit configuration
Number of rewrites / data retention characteristics
Write (Start / Execute / Time / BUSY state)
Write (page / all addresses)
Write (enable / disable / protect)
Reading data
Memory area: Capacity and bit
Status register
Command and opcode
Power-on reset (POR)
clock
Timing chart
Multiple connection or cascade connection
Initial value
Parasitic capacitance of the terminal
Reduced voltage detection (UVLO / LVCC)
Operating frequency
Reset All
常見問題
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showing 1 to 10 of 35
關於EEPROM,
請告知在Datasheet中的標準值中,僅有Min/Max而沒有Typ記載的專案實際測量值。
確認各特性的實際測量值時,請參考Datasheet中記載的特性圖。
FAQ ID: 1820
偶發性故障是什麼?
在使用者的使用過程中,記憶體元件突然發生故障的情形,並因此造成資料錯誤。
EEPROM記憶體元件的具有一定程度的複寫次數限制(ROHM的產品可達業界最高水準100萬次)。
在此一限制次數內,各公司均未保証產品不會發生偶發性故障的現象(僅於出貨時確認所有bit均為正常狀態)。
為改善此偶發性的不良情形,ROHM導入W-CELL (雙元件)結構,實現資料的高度可靠性。
FAQ ID: 7
關於EEPROM,
請告知如何在接通電源時禁止誤寫入。
請遵守Datasheet中所記載的電源啟動時間及電壓的規定。
在VCC完全上升之前,請將輸入端子保持以下狀態。
Microwire: 將CS端子下拉成GND (產品: BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93H-2C/BR93A-WM系列)SPI: 將CSB端子上拉成VCC (產品: BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列)I2C: 將SDA設為“H”,且將SCL設成“H”或“L” (產品: BR24G-3/BR24G-3A/BR24A-WM/BR24T-3AM系列)
FAQ ID: 1797
在寫入或讀取EEPROM時若電源突然中斷的話,會發生什麼事?
此時低電壓誤寫防止回路(LV
CC
回路)將開始作動,並同時取消寫入指令以防止資料誤寫。
在啟動時請注意要一併啟動“Power On Reset (P.O.R回路)”。
應用產品: BR24Lxx Series, BR25Lxx0 Series, BR93Lxx Series
FAQ ID: 13
關於SPI的EEPROM,
在SO的上升和下降中,資料輸出延遲時間tPD的規定是否一樣?
tPD的規定就是從SCK的下降到SO的上升,或者是SCK的下降到SO下降的時間。
產品:BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列
FAQ ID: 1826
關於SPI的EEPROM,
請告知SO輸出端子的電路結構。
SO輸出為CMOS結構,而非汲極開路。
產品:BR25G-3/BR25H-2C/BR25H-2AC/BR25A-3M系列
FAQ ID: 1817
覆寫次數是如何定義的?
也就是每個位元保證可覆寫100萬次,
而非IC本身的覆寫次數。
註1) 覆寫次數取決於工作溫度條件如需索取覆寫次數的實測值資料,請另行洽詢本公司業務人員。
註2) 覆寫次數與資料儲存年限之間並無相關性。
FAQ ID: 17
關於EEPROM,
資料改寫次數是否也包含資料刪除次數?
資料刪除也在改寫次數之內。
FAQ ID: 1822
關於EEPROM,
若有類似“Ta=125℃,50年”與資料保存年數相關的描述,是否意味著“在125℃的溫度環境下連續工作50年也沒有問題”?
如果只限於累積單元的資料保存,則這可以表示連續50年在125℃的溫度環境下運行的可靠性,但這並不等同於LSI本身的產品壽命。
FAQ ID: 2
關於EEPROM,
資料改寫次數及資料保存年數是否會因寫入資料的內容而發生變化?
寫入資料的內容和改寫次數及保存年數無關。
FAQ ID: 1823
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