SiC 首頁

碳化矽-蕭特基二極體

全碳化矽SiC功率模組

碳化矽MOSFET

高耐熱(Tj=200ºC) SiC功率模組

ROHM SiC Schottky Barrier Diode

運用高耐壓、 大電流特性的碳化矽 (SiC) 研發蕭特基二極體。
以其高速開關特性減少開關損耗，可使用較高的工作頻率。

特長

  • 回復時間較短
  • 高速開關
  • 低溫度依存性
  • 低VF (二代 SBD)

主要額定規格

額定電壓 額定電流
650V 6A~100A*
1200V 5A~50A
1700V* 10A~50A
*研發中

大幅降低切換損耗

運用矽質製品無法實現的極小反向回復時間 (trr)，實現高速開關。
回復電荷量（Qrr）亦小，可減少開關損耗，協助裝置的小型化。

開關波形

此外，不同於矽質快速回復二極體會隨著溫度trr也增大的特性，SiC則能維持一定的特性。
高溫工作時也能無損耗開關驅動。

trr Temperature Characteristics

羅姆不斷改進元件製程，促使產品不斷進化，達到低VF效能目標

  • ■促使產品不斷進化，達到低VF效能目標

    Achieves lower VF along with generational evolution

  • ■低VF・高突波電流耐受量

    Low VF and high surge resistance

實現穩定的溫度特性

溫度產生的特性變化比矽小，因此具有穩定的特性。
此外，與矽材質的快速回復二極體相反，順向電流為正的溫度係數，元件的並聯連接更加容易。有助於避免並聯連接時熱失控的情形發生。

SBD : Forward Characteristics

用途

  • 開關電源
  • PFC （功率因數校正） 電路
  • 太陽能發電用功率調節器
  • 電動車/油電混合車的逆變器及充電器
  • 馬達驅動電路

■ [例] PFC 電路

PFC 電路

■ [例] 汽車充電電路

汽車充電電路

垂直整合的生產體系，確保高品質和穩定

「品質第一」是ROHM揭櫫的企業目的。碳化矽亦達到垂直整合的生產系統。從 2009年德國SiCrystal加入ROHM集團後，從晶圓到封裝，製程皆保證高品質。以國際一流的製造技術，安定的製造力，提昇成本競爭力，並進一步開發長期、 穩定供應的新產品。

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