概要
使用碳化矽金氧半電晶體SiC MOSFET與碳化矽蕭特基二極體SiC SBD的SiC功率模組開始正式量產！
為確保元件的可靠性，ROHM採用了獨創的電場緩和結構及篩選法(Screening)，建立了全球第一套全碳化矽SiC 功率模組的量產體制。
本產品內建碳化矽蕭特基二極體SiC SBD及碳化矽金氧半電晶體SiC MOS，可達到傳統矽製IGBT無法達到的 100kHz以上高頻動作。
特點 減少 80%以上的開關損耗
全碳化矽功率模組可充分發揮 SiC 的高速性能。
與矽 IGBT 相比，大幅減少開關損耗。
特點
- 高速開關
- 低開關損耗
- 快速回復
- 低電感設計
高速開關時亦低損耗
內部電路圖
產品陣容
| 型號 | 絕對最大額定值 | 電感 (nH) |
封裝 | 熱敏 電阻內 |
內部電路圖※ | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (A) |
VGS (V) |
ID (V) [Tc= 60°C] |
Tj max (°C) |
Tstg (°C) |
Visol (V) [AC 1min.] |
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| BSM080D12P2C008 | 1200 | -6 ~22 |
80 | 175 | -40 ~ 125 |
2500 | 25 | C type 45.6 × 122 × 17mm |
- |  |
| BSM120D12P2C005 | 120 | |||||||||
| BSM180D12P3C007 | -4 ~22 |
180 | ||||||||
| BSM180D12P2E002 | -6 ~22 |
180 | 13 | E Type 62 × 152 × 17mm |
○ |  |
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| BSM300D12P2E001 | 300 | |||||||||
| 研發中 BSM400D12P3G002 | -4 ~22 |
400 | 10 | G Type 62 × 152 × 17mm |
||||||
| 研發中 BSM600D12P3G001 | 600 | |||||||||
※產品陣容包含Chopper型在內。詳細情況請洽詢營業窗口。
■外觀尺寸圖
評估板
備有可評估全碳化矽SiC模組的閘極驅動評估板。
特點：
- 內建Mirror Clamp功能
- 可選擇 0 V⇔ + 18 V 、-3V⇔+18V驅動
（使用負偏壓需要拆除和安裝零件作業）
| P/N | BW9499H-EVK-01 | BW9499H-EVK-02 | BW9499H-EVK-03 | BP59A8H-EVK-01 | BP59A8H-EVK-02 | 研發中BP59A8H-EVK-03 | 研發中BP59A8H-EVK-04 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiC Module |
BSM180D12P3C007 | BSM080D12P2C008 BSM120D12P2C005 |
BSM300D12P2E001 | BSM600D12 P3G001 |
BSM400D12 P3G002 |
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| Appea rance |
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| Gate Drive IC | BM6101FV-C | ||||||
| RG ON | 6.8Ω | 2.2Ω | 0.01Ω | 1.8Ω | 2.2Ω | ||
| RG OFF | 8.2Ω | 3.9Ω | 0.2Ω | 1.8Ω | 2.2Ω | ||
| CGS | - | 5.6nF | 5.6nF | - | - | ||
| Gate Turn Off | Minus | Zero | Minus | Zero | Minus | Minus | Minus |
| Recom mended VGS |
+18V / -2V | +18V / 0V | +18V / -3V | +18V / 0V | +18V / -3V | +18V / -2V | +18V / -2V |
應用
- 高電壓馬達驅動器
- 工業設備逆變器 / 轉換器，電動力車
- 太陽能 / 風力發電，電源Unit，電磁感應加熱設備
等等