碳化矽(SiC)與目前主流的矽質功率半導體元件相比，切換損耗小、在高溫下也能擁有優異的電子特性。
特點
- 降低功率損耗，開關損耗 73%
（與矽質 IGBT相比，以 30kHz驅動時） - 協助系統的小型化
- 寄生二極體反向回復極小
| 額定電壓 | 導通電阻 |
|---|---|
| 650V | 120mΩ |
| 1200V | 45mΩ~450mΩ |
| 1700V | 100mΩ~1150mΩ |
新世代 第三代 SiC MOSFET 的特點
與第二代 SiC MOSFET 相比
- 啟動電阻減少 50%※
- 輸入電容 （Ciss） 減少35%※
(※同樣晶片尺寸比較)
產品陣容
| 額定電壓 | 導通電阻 |
|---|---|
| 650V | 17mΩ~120mΩ |
| 1200V | 22mΩ~160mΩ |
使用電路範例
應用實例:工業設備輔助電源
應用實例
額定電壓600V，特別能考慮在1000V以上的應用領域中使用
- 工業裝置
- 空調變流器
- 太陽能發電變流器
- 電動車(EV)變流器
