N-channel SiC(碳化矽)功率MOSFETbare die - S4105

S4105是SiC(碳化矽)功率MOSFET。其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。
關於Bare Die的銷售請向本公司銷售部門諮詢規格。現在尚未進行網路銷售及經由網路公司進行銷售。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | S4105
狀態 | 可購買
封裝 |
單位數量 |
最小包裝數量 |
包裝形式 |
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

160.0

Drain Current[A]

17.0

Junction Temperature(Max.)[℃]

175

Storage Temperature (Min.)[℃]

-55

Storage Temperature (Max.)[℃]

175

功能:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive