S4101
N-channel SiC 功率MOSFET Bare die
S4101
S4101
N-channel SiC 功率MOSFET Bare die
S4101是基於SiC的Trench MOSFET。其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。
關於Bare Die的銷售請向本公司銷售部門諮詢規格。現在尚未進行網絡銷售及經由網絡公司進行銷售。
Data Sheet
* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
40
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
55
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
功能:
· Low ON resistance· Fast switching speed
· Fast revese recovery
· Easy to parallel
· Simple to drive
