RV8L002SNHZG

高安裝可靠性 DFN1010, Nch 60V 250mA, 車電小信號MOSFET
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RV8L002SNHZG

RV8L002SNHZG
高安裝可靠性 DFN1010, Nch 60V 250mA, 車電小信號MOSFET

RV8L002SNHZG是具有較高安裝可靠性的車電超小型MOSFET，利用先進的Wettable Flank成型技術確保封裝側面電極部分的高度為125μm。採用底部電極結構的封裝確保穩定的焊接品質，使部件安裝後焊接狀態的自動光學檢查(AOI)更準確。有助於車電ECU和ADAS相機模組等車電元件的小型化。適合用於高側負載開關、開關電路、繼電器驅動器。

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Product Detail

 
料號 | RV8L002SNHZGG2CR
狀態 | 推薦品
封裝 | DFN1010-3W (Wettable Flank)
單位數量 | 8000
最小包裝數量 | 8000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Package Code

DFN1010-3W

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

3

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

2.3

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

2.1

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

3

Power Dissipation (PD)[W]

1

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

1x1 (t=0.45)

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

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功能:

  • Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package (1.0×1.0×0.4mm)
  • Side wettable Flanks for automated optical solder inspection (AOI). Tin-plated 100% solderable side pads guarantees Min.125µm
  • AEC-Q101 qualified
  • ESD protection up to 2kV (HBM)
  • Very fast switching
  • Ultra low voltage drive (2.5V drive)

Supporting Information

 

概要

新產品採用ROHM獨創的Wettable Flank成型技術※1，以1.0mm×1.0mm的業界最小尺寸，確保了封裝側面電極部分的高度可達125μm。在要求高品質的車電應用上，安裝重要元件後會進行自動光學檢查（以下簡稱AOI※2），打造出了非常出色的焊接可靠性。此外，通常小型化和高散熱性之間存在著取捨(Trade-off)關係，而採用底部電極結構的新封裝同時兼顧了兩者，因此非常適用於電路板有高密度需求的車電ECU和先進駕駛輔助系統（ADAS）等相關應用。

背景

近年來，隨著汽車電子化加速，汽車中使用的電子元件和半導體元件數量也呈現增加趨勢。因此，必須要在有限的空間裡安裝更多元件，使安裝密度也能夠越來越高。例如，1個車電ECU中的半導體和積層陶瓷電容的平均使用數量，預計將從2019年的186個※，增加約三成至2025年的230個※。為了滿足安裝密度越來越高的車電應用需求，市場對於元件體積的要求也越來越高，因此能夠兼顧小型化和高散熱性的底部電極封裝產品逐漸受到青睞。 另一方面，為了確保車電元件的可靠性，雖然安裝元件後會進行AOI，但由於底部電極封裝只在底部有電極，故無法仔細確認焊接狀態，要進行符合車電標準的AOI會有一定難度。

新產品使用ROHM獨創Wettable Flank成型技術，成功解決了上述課題，進而開發出業界最小車電用超小型MOSFET，目前也陸續導入至各車廠中。未來除了MOSFET，ROHM也會積極擴充雙載子電晶體和二極體等產品線。

（※截至2020年9月30日ROHM調查）

特點

1.利用ROHM獨創Wettable Flank成型技術，確保封裝側面電極部分高度達125μm

採用傳統技術的底部電極封裝，因為無法在引線框架側面電鍍加工，故無法保有車電所需的焊料高度，並且難以進行AOI檢測。本次新產品採用ROHM獨創 Wettable Flank成型技術，能夠以引線框架上限電鍍加工，並以1.0mm×1.0mm的尺寸，確保封裝側面電極部分的高度可達125μm。因此即使是底部電極封裝，也可以穩定焊料圓角，並以元件安裝後所進行的AOI，仔細確認焊接狀態。

実装時断面図

2.替換成超小型、高散熱性MOSFET，對應電路板的高密度需求

新產品尺寸僅為1.0mm×1.0mm（DFN1010封裝），卻保有與2.9mm×2.4mm尺寸（SOT-23封裝）相同的性能，因此安裝面積可減少85%左右。不僅如此，使用散熱性優異的底部電極後，與SOT-23封裝相比，可將散熱性提高65%。也就是說，新產品兼顧了小型化與高散熱性，非常適用於電路板有高密度需求的車電ECU和ADAS相關應用。

兼顧了小型化與高散熱性

產品系列

產品型號 極性
[ch]		 汲極 - 源極間耐壓
VDSS
[V]		 汲極電流
ID
[A]		 驅動電壓
[V]		 汲極 - 源極間導通電組 RDS(on)[mΩ]
@VGS=10V @VGS=4.5V @VGS=4.0V @VGS=2.5V @VGS=1.8V @VGS=1.5V @VGS=1.2V
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.

RV8C010UN		 N 20 1.0 1.2 - - 340 470 - - 400 560 470 650 540 810 700 1050

RV8L002SN		 N 60 0.25 2.5 1700 2400 2100 3000 2300 3200 3000 12000 - - - - - -

BSS84X		 P -60 -0.25 -4.5 2800 5300 3500 6400 - - - - - - - - - -

應用範例

開關應用和反接保護應用相關的通用產品

  • 自動駕駛控制ECU
  • 引擎控制ECU
  • ADAS相關應用
  • 車電資訊娛樂系統
  • 行車記錄器

など

名詞解釋

※1）WWettable Flank成型技術
在QFN和DFN等底部電極封裝的引線框架側面電鍍加工的技術。有助於提升焊接可靠性。

※2）AOI（Automated Optical Inspection）
透過相機來掃描電路板，自動檢查元件缺失、品質缺陷及焊接狀態等。

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