RGT50NS65D(LPDS)

短路耐量 5µs, 650V 25A, 內建快速回復二極體, LPDS, 場截止溝槽型IGBT
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RGT50NS65D(LPDS)

RGT50NS65D(LPDS)
短路耐量 5µs, 650V 25A, 內建快速回復二極體, LPDS, 場截止溝槽型IGBT

ROHM的IGBT（絕緣閘極型雙極電晶體）產品為廣大的高電壓、大電流應用的高效化和節能化做出了貢獻。

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本產品不建議使用的車載設備。
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Product Detail

 
料號 | RGT50NS65DGTL
狀態 | 推薦品
封裝 | LPDS
單位數量 | 1000
最小包裝數量 | 1000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

25

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

194

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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功能:

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