常見問題
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  • 關於Microwire的EEPROM,
    請告知下降CS後執行寫入的SK和CS之間的時間規定。
    • 作為執行寫入的CS下降時間,規定有效區間在“導入DI最終資料“D0”的SK上升/下降”和“接下去的下一個SK上升”之間。
      在BR93H-2C/BR93L系列中,
      CS在“導入“D0”的SK上升tSKH之後”~ “下一個SK上升的tCSS之前”之間下降,開始寫入。
      在BR93G-3/BR93G-3A/BR93G-3B/BR93A-WM系列中,
      CS在“導入“D0”的SK下降”tCSH以後”~ “下一個SK上升的tCSS以前”之間下降,開始寫入。
      (tSKH: SK"H"時間、tCSS:CS設置時間、tCSH:CS保持時間)
      CS timing
  • EEPROM是什麼?
    • Electrically Erasable Programable ROM (可藉由電子方式進行刪除的非揮發性記憶體)。在基板上藉由電子信號的動作,將各個位址上的資料進行覆寫。
      ROHM的EEPROM的可靠性已達業界最高水準,可覆寫高達100萬次,並能保存資料長達40年。全系列的記憶體元件上均導入ROHM獨創的W-CELL (雙元件)技術,具有極佳的高可靠性(資料的偶發性故障率為“零”)。
    • Products: Serial EEPROM
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