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常見問題
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  • 是否可於在集極射極間施加耐壓與反方向電壓?
    • NPN電晶體在將射極接地時,對集極施加正電壓時的耐壓即為規格書中所記載的VCEO (PNP電晶體在將集極接地時,對射極所施加的正電壓為VCEO。)
      與此反方向(NPN的情形下,將集極接地,對射極施加正電壓時)的耐壓與射基極間的耐壓大約相同。射極-基極間之耐壓一般為5-7V,因此集極-射極間的逆向電壓請保持在5V以下(在集極-射極間加上大約與耐壓?相同的反向電壓時,可能會造成hFE?降低)。若集極-射極間的反向電壓在5V以下,則電流的流通程度僅約略與漏電流相同。





      如上所示,數位電晶體亦可在集極-射極間(OUT-GND間)施加5V以下的反向電壓。若GND-IN間有電阻的時候,電流將透過這個電阻流過。
    • Products: General Purpose Bipolar Transistors , Complex Transistors , Darlington Transistors
  • 環境溫度變化時,是否有需特別注意之事項?
    • 必須配合環境溫度降低(derating)額定功率(Pc)。請參考下列圖表,並配合環境減少施加在電晶體上的電力。

      必須針對安全動作範圍(SOA)進行降額(derating),詳細資訊請參閱『為了安全地使用ROHM的電晶體-可否使用TR的判斷方法』。
      在電氣的特性上,例如雙極電晶體/數位電晶體都有輸入電壓(VBE, VI(on), VI(off),)、hFE, GI依溫度而變動的特性。請參考電氣特性區線來設計出不易隨著溫度變化而產生問題的電路。MOSFET亦需進行相同考量。
    • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
  • 無鹵素化的原因為何?
    • 一直以來都是使用內含符合RoHS指令的溴化阻燃劑的模鑄樹脂,但為了進一步減少對環境的影響,而採用無鹵樹脂。
      半導體製造商羅姆對無鹵的定義(在均質材料中):
      (1)氯在900ppm以下
      (2)溴在900ppm以下
      (3)氯及溴的含量合計在1500ppm以下
      (4)三氧化二銻在1000ppm以下。
      此定義符合IEC61249規定且滿足對環境管理要求嚴格的歐洲主力製造商的需求值。
    • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
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