LED背光驅動用功率MOSFET

概要
特長
使用電路範例
應用實例
產品系列

概要

ROHM全新研發MOSFET系列，最適合LED背光升壓轉換器與負載開關電路使用。

特長

最適合LED背光升壓轉換器及調光電路使用。
業界最高級距的低導通電阻RDS(on)。
產品系列採用耐壓達45~250V的表面安裝型大功率封裝
採用表面安裝型封裝，亦可安裝於背面。

使用電路範例

應用實例

產品系列

V_DSS40V
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	R_DS(on) Typ. (mΩ)	Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	10V	Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
RSJ450N04	LPT	N	40	45	50	9.5	43	10

V_DSS45V
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	R_DS(on) Typ. (mΩ)				Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	2.5V	4V	4.5V	10V	Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
RSD200N05	CPT3	N	45	20	20	-	28	25	20	12	4
RSD080P05		P	-45	-8	15	-	105	95	65	9.0
RSD160P05		P	-45	-16	20	-	50	45	35	16
RTR030N05	TSMT3	N	45	3	1	68	53	48	-	6.2^*1	2.5
RTR025N05		N	45	2.5	1	125	100	95	-	3.2^*1
RTR020N05		N	45	2	1	180	135	130	-	2.9^*1
RSR025N05		N	45	2.5	1	-	105	95	70	3.6^*1	4
RTQ020N05	TSMT6	N	45	2	1.25	200	150	140	-	2.3^*1	2.5
QS6K21		N+N	45	1	1.25	415	-	310	300	1.5^*1	2.5
RVQ040N05		N	45	4	1.25	-	53	47	38	6.3^*1	4
QS8K21	TSMT8	N+N	45	4	1.5	-	53	48	38	5.4^*1
RSH070N05	SOP8	N	45	7	2	-	25	23	18	12^*2
RSH070P05		P	-45	-7	2	-	28	25	19	34^*2
SH8K22		N+N	45	4.5	2	-	46	41	33	6.8^*2
SH8M24		N	45	4.5	2	-	46	41	33	6.8^*2
SH8M24		P	-45	-3.5	2	-	66	60	45	13^*2

*1:V_GS=4.5V、*2:V_GS=5V

V_DSS40V
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	_{R_DS(on)Typ.(mΩ)}			Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	4V	4.5V	10V	Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
RSD050N06	CPT3	N	60	5	15	100	-	78	-	4
RSD080N06			60	8	20	78	70	57	9.5
RSD150N06			60	15	20	48	-	37	-
RSD220N06			60	22	20	30	-	22	-
RSD140P06		P	-60	-14	20	77	73	60	27
RSJ800N06	LPT	N	60	80	50	5.0	-	4.2	-	10
RSJ400N06			60	40	50	-	-	11	52	4
RSJ10HN06			60	100	50	3.5	-	3.0	202
RSR030N06	TSMT3	N	60	3	1	75	70	60	5^*1
RSR020N06	TSMT3	N	60	2	1	150	140	120	2.7^*1
REQ015N06	TSMT6	N	60	1.5	1.25	255	240	210	2^*1
RSH065N06	SOP8	N	60	6.5	2	31	28	24	11^*1
SH8K32	SOP8	N+N	60	4.5	2	55	52	46	7^*2

^*1:V_GS=4.5V、^*2:V_GS=5V

V_DSS80V
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	R_DS(on)Typ.(mΩ)			Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	4V	4.5V	10V	Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
SH8M41	SOP8	N	80	3.4	2	120	110	90	6.6	4
SH8M41	SOP8	P	-80	-2.6	2	230	220	165	8.2	4

^*1:V_GS=4.5V、^*2:V_GS=5V

V_DSS40V
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	R_DS(on)Typ.(mΩ)			Qg(nC) (V_GS=10V)	駆動電圧 (V)
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	4V	4.5V	10V	Qg(nC) (V_GS=10V)	駆動電圧 (V)
RSD050N10	CPT3	N	100	5	15	145	-	135	-	4
RSD100N10			100	10	20	105	100	95	18
RSD175N10			100	17.5	20	85	80	75	24
RSD200N10			100	20	20	45	-	41	-
RSJ300N10	LPT	N	100	30	50	38	36	33	50
RSJ550N10			100	55	50	13.5	-	12	143
RSJ650N10			100	65	50	7	-	6.5	260
RSJ250P10		P	-100	-25	1	50	48	45	60
RSR010N10	TSMT3	N	100	1	1	470	460	440	34^*1
RSQ015P10	TSMT6	P	-100	-1.5	1.25	400	380	350	17^*1
QS8M51	TSMT8	N	100	2.0	1.5	260	250	240	4.6^*1
QS8M51	TSMT8	P	-100	-1.5	1.5	400	380	350	17^*1
SP8M51	SOP8	N	100	3	2	135	130	120	8.5^*2
SP8M51	SOP8	P	-100	-2.5	2	240	230	210	12.5^*2

^*1:V_GS=4.5V、^*2:V_GS=5V

V_DSS200V
型號	封裝	極性	V_DSS(V)	I_D(A)	P_D(W) (Tc=25°C)	R_DS(on)Typ.(mΩ)	Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
型號	封裝	極性	V_DSS(V)	I_D(A)	P_D(W) (Tc=25°C)	10V	Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
RND030N20	CPT3	N	200	3	20	740	7.0	10
RCD050N20			200	5	20	470	9.0
RCD075N20			200	7.5	20	250	15
RCD100N20			200	10	20	140	26
RCX080N20	TO-220FM		200	8	20	470	9
RCX120N20			200	12	40	250	15
RCX160N20			200	16	40	135	26
RCX450N20			200	45	40	42	80
RCJ450N20	LPT		200	45	40	42	80

V_DSS250V
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	R_DS(on)Typ.(mΩ)			Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
型號	封裝	極性	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D(W) (Tc=25°C)	4V	4.5V	10V	Qg(nC) (V_GS=10V)	驅動電壓 (V)
RCD040N25	CPT3	N	250	4	20	-	-	780	9	10
RCD060N25			250	6	20	-	-	410	15
RCD080N25			250	8	20	-	-	225	25
RCX050N25	TO-220FM		250	5	30	-	-	850	9
RCX080N25			250	8	35	-	-	460	15
RCX100N25			250	10	40	-	-	245	26.5
RCX120N25			250	12	40	-	-	180	35
RCX220N25			250	22	40	-	-	105.0	60
RCX330N25			250	33	40	-	-	77	80
RCX510N25			250	51	40	-	-	48	120
RCJ220N25	LPT		250	22	40	-	-	105	60
RCJ330N25	LPT		250	33.0	40	-	-	77	80
RDR005N25	TSMT3	N	250	0.5	1	7.4Ω	7.4Ω	6.8Ω	3.5^*1	4
SH8M70	SOP8	N	250	3	2	-	-	1.25Ω	5.2^*2	10
SH8M70	SOP8	P	-250	-2.5	2	-	-	1.25Ω	8^*2	10

^*1:V_GS=4.5V、^*2:V_GS=5V

除了LED背光模組驅動用功率MOSFET外，ROHM仍將運用獨步技術，開發出能符合顧客需求的MOSFET產品，並進一步致力於擴充產品系列。

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