何謂sic功率元件？ SiC-MOSFET
1 .元件構造與特徵
由於Si越是高耐壓的元件、每單位面積的導通電阻變高(以耐壓的約2～2.5倍增加)，600V以上的電壓則主要使用IGBT(絕緣閘雙極電晶體)。
IGBT因為是傳導度調變，藉由注入少數載子之正孔於漂移層内，比MOSFET可降低導通電阻，另一方面由於少數載子的累積，斷開時產生尾電流、成為巨大開關損耗的原因。
SiC由於漂移層的電阻比Si元件低，不須使用傳導度調變，可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。
MOSFET由於在原理上不會產生尾電流，取代IGBT時，可實現開關損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。
此外，藉由IGBT做不到的高頻驅動，也對被動元件的小型化有所貢獻。
即使相對於600V～900V的Si-MOSFET，擁有晶片面積小與(可實裝在小型封裝上) 與內接二極體的回復損耗非常小等優點。
針對産業機器的電源與高效率電源調節器的變頻器・轉換器部等領域，應用不斷擴展中。
2. 規格化導通電阻
從SiC在絕緣破壞電場界強度為Si的10倍這一點上，以低電阻、薄膜厚的漂移層實現高耐壓。
為此，以相同的耐壓產品同士做比較則可達到規格化導通電阻(每單位面積導通電阻)的小元件。
例如以900V為Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1晶片尺寸，可實現相同的導通電阻。
除了能以小封裝實現低導通電阻外，閘極電荷量Qg、容量等方面也變小。
SJ-MOSFET只有900V左右的產品，SiC則1700V以上的耐壓也能以低導通電阻推出產品。
由於不須採用如IGBT般的雙極元件構造 (導通電阻變低但開關慢)，是能夠兼顧到低導通電阻、高耐壓、高速開關的元件。
3. Vd-Id特性
SiC-MOSFET由於如IGBT般無初始電壓，可在小電流到大電流的廣泛電流領域達成低導通損耗。
而且Si-MOSFET在150℃下導通電阻上升至室溫的2 倍以上，SiC-MOSFET則由於上升率較低，容易進行熱設計、即使高溫也能實現低導通電阻。
※本資料是呈現在ROHM的同一條件下之評估結果以供參考。在此顯示的特性並非由本公司所保證。
4. 驅動閘極電壓與導通電阻
SiC-MOSFET比Si-MOSFET的漂移層電阻低，另一方面現在的技術水準由於MOS通道部分的移動度低，通道部的電阻與Si元件相比則變高。
為此，高閘極電壓越低越能得到導通電阻(Vgs=20V以上逐漸飽和)。
一般的IGBT與Si-MOSFET所採用的驅動電壓Vgs=10～15V因為無法發揮原本的低導通電阻性能，為了得到充分的低導通電阻，建議以Vgs=18V前後值驅動。
